Toshiba推出80V N型通道功率MOSFET，採用最新一代製程以提升AI資料中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (「Toshiba」)已推出TPM1R408RH，這是一款80V N型通道功率MOSFET，採用U-MOS11-H製程製造，該製程為Toshiba最新一代技術^[1]。該MOSFET主要針對AI資料中心及通訊基地台所使用的工業設備開關式電源供應器等應用領域。產品即日起開始出貨。

隨著AI處理需求持續成長，資料中心的電力需求同步增加，而通訊基礎設施的進步進一步推動對開關式電源供應器提出更高要求，包括更高效率、更小體積(更高功率密度)以及更低電磁干擾(EMI)。由於功率損耗會直接影響系統耗電量、熱能產生與散熱負載，因此導入合適特性的功率半導體至關重要，這些特性需能在導通損耗與開關損耗之間取得平衡式降低，同時有助於整體系統最佳化，包括提升EMI抑制能力、散熱設計以及安裝便利性。

TPM1R408RH採用最佳化的元件結構，實現汲源導通電阻1.4mΩ(最大值)^[2]相較於「TPM1R908QM」(Toshiba上一代U-MOS X-H製程所製造的80V產品)降低約26%。同時，其在汲源導通電阻(R_DS(ON) )與總閘極電荷(Q_g )之間的權衡表現進一步改善，使性能指標R_DS(ON) × Q_g較TPM1R908QM降低約45%。這些特性使其達到業界領先^[3]的低功耗水準。

TPM1R408RH亦可抑制開關過程中在汲極與源極之間產生的尖峰電壓，有助於降低開關式電源供應器中的電磁干擾(EMI)。EMI 抑制通常在設計後期需要返工，但透過抑制源自元件本身的尖峰電壓，可減少後續設計修改，並簡化濾波器與緩衝電路的設計。

該新產品採用SOP Advance(E)封裝，相較於Toshiba現行SOP Advance(N)封裝，可降低約65%的封裝電阻，並降低約15%的熱阻。透過抑制發熱並提升散熱性能，該封裝有助於支援更高輸出功率與更緊湊的電源設計。

Toshiba亦提供支援開關式電源供應器電路設計的工具。除了可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在也提供能高精度重現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。Toshiba網站上的線上電路模擬器，讓使用者無需建置模擬環境或下載元件模型，即可在網頁瀏覽器中輕鬆驗證電路運作。(線上電路模擬器：請點按這裡)

Toshiba將持續擴展其功率MOSFET產品陣容，以提升電源供應效率，從而協助降低工業設備的整體耗電量。

備註：
[1] 截至2026年6月，基於Toshiba低壓功率MOSFET製程。
[2] V_GS =10V。I_D =50A，T_a =25°C
[3] Toshiba調查，截至2026年6月。

應用領域

工業設備

• AI資料中心與通訊基地台用開關式電源供應器

特點

• 低汲源導通電阻：R_DS(ON) =1.4mΩ (最大值) (V_GS =10V，I_D =50A，T_a =25°C)
• 低汲源導通電阻×總閘極電荷：R_DS(ON) ×Q_g ＝1.4mΩ×80nC=112mΩ・nC (相較於TPM1R908QM的1.9mΩ×108nC=205.2mΩ・nC，降低約45%)
• 採用SOP Advance(E)封裝，具備低封裝電阻與低熱阻特性。

主要規格

(除非另有說明，Ta =25°C)
零件編號				TPM1R408RH
絕對最大額定值	汲極-源極電壓VDSS (V)			80
	直流汲極電流(DC) ID (A)	Tc =25°C		288
	通道溫度Tch (°C)			175
電氣特性	汲極-源極導通電阻RDS(ON) (mΩ)	VGS =10V	最大值	1.4
		VGS =8V	最大值	1.7
	總閘極電荷Qg (nC)	VGS =10V	典型值	80
	閘極開關電荷Qsw (nC)		典型值	23
	輸出電荷Qoss (nC)		典型值	161
	反向恢復時間trr (ns)		典型值	74
	反向恢復電荷Qrr (nC)		典型值	115
封裝	名稱			SOP Advance(E)
	尺寸(mm)		典型值	4.9×6.1×1.0
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

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