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东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术，该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相，有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代，市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限，业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术，以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料，这种方式会推高制造成本，同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术，该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中，我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术，并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相，可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代，市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限，業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術，以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料，這種方式會推高製造成本，同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術，該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中，我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術，並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permitirán la implementación práctica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) 3D de alta densidad y bajo consumo. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, EE. UU., el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de...

TÓQUIO--(BUSINESS WIRE)--A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento de transistores de canal de semicondutor de óxido altamente empilháveis que permitirão a implementação prática de DRAM 3D de alta densidade e baixo consumo de energia. Essa tecnologia foi apresentada na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, EUA, em 10 de dezembro, e tem o potencial de reduzir significativamente o consumo de energia em uma...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung hochstapelbarer Oxid-Halbleiter-Kanal-Transistoren bekannt, die die praktische Umsetzung von hochdichten, stromsparenden 3D-DRAMs ermöglichen. Diese Technologie wurde am 10. Dezember auf der IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco, USA, vorgestellt und hat das Potenzial, den Stromverbrauch in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter KI-Server un...

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui le développement de transistors à canal semi-conducteur à oxyde hautement empilables qui permettront la mise en œuvre pratique de DRAM 3D haute densité et basse consommation. Cette technologie a été présentée lors de l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) qui s’est tenu à San Francisco, aux États-Unis, le 10 décembre, et pourrait permettre de réduire la consommation d’énergie...

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, azienda leader mondiale nelle soluzioni di memoria, oggi ha annunciato lo sviluppo di transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili che consentiranno l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico. Questa tecnologia è stata presentata al IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) che si è svolto a San Francisco, USA, il 10 dicembre, e che potenzialmente riduce il consumo energetico...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

GREENVILLE, Texas und JENBACH, Österreich--(BUSINESS WIRE)--INNIO Group, ein führender Anbieter von Energielösungen und Services, arbeitet mit dem US-Energieversorger Greenville Electric Utility System (GEUS) an einem zukunftsweisenden 104-Megawatt-(MW)-Kraftwerk. Das neue Kraftwerk ist darauf ausgelegt, zur Netzstabilität beizutragen, Spitzenlasten abzudecken und die Integration erneuerbarer Energien zu unterstützen. „Dieses Projekt ist ein Meilenstein für Texas und für INNIO. Mit Schnellstart...

GREENVILLE, Texas & JENBACH, Austria--(BUSINESS WIRE)--INNIO Group, a leading energy solution and service provider, is collaborating with the U.S. power utility Greenville Electric Utility System (GEUS) on a landmark 104-megawatt (MW) power plant. The new plant is designed to help reinforce grid stability, cover peak loads, and enable greater integration of renewable energy. “This project is a milestone for Texas and for INNIO. With fast-start capability, flexibility, and sustainability, we are...