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TAIPEI, Taiwan--(BUSINESS WIRE)--Cincoze’s newly-launched DIN-Rail Computer delivers smart machine vision applications with powerful edge performance and innovative thermal design....

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that the international nonprofit CDP has once again given Mitsubishi Electric its highest “A List” rankings for both Climate Change and Water Security activities. The top ratings recognize the environmental focus of Mitsubishi Electric’s commercial activities and goals as well as the company’s timely and appropriate information disclosure. Mitsubishi Electric has been named to the A List eight times in both ca...

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，已成功研發出電路線寬為10奈米（nm，10-9公尺）的奈米壓印微影(NIL)模板。這款新型模板可實現效能媲美1.4奈米制程的邏輯半導體的圖案化，滿足尖端邏輯半導體的微型化需求。 研發背景與目標 近年來，隨著元件精密度的提升，市場對尖端半導體微型化的需求與日俱增，這也推動了以極紫外(EUV)微影技術為基礎的生產進步。然而，EUV微影技術在生產線建設和曝光製程方面需要大量的資本投入，且能耗與運行成本居高不下。 DNP自2003年起便致力於NIL模板的研發工作，在高精確度圖案化領域成功累積了豐富的技術經驗。 在此項最新進展中，DNP研發了一種具有10奈米線圖案的NIL模板。它可以替代部分EUV微影製程，從而協助那些不具備EUV微影生產製程的客戶生產尖端邏輯半導體。 主要特性 DNP利用自對準雙重圖案化(SADP)技術，成功實現了電路線寬為10奈米的新型NIL模板的研發。該技術透過對微影裝置形成的圖案進行薄膜沉積和蝕刻處理，使圖...

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，已成功研发出电路线宽为10纳米（nm，10-9米）的纳米压印光刻(NIL)模板。这款新型模板可实现性能对标1.4纳米制程的逻辑半导体的图案化，满足了尖端逻辑半导体的微型化需求。 研发背景与目标 近年来，随着器件精密度的提升，市场对尖端半导体微型化的需求日益增长，这也推动了基于极紫外(EUV)光刻技术的生产进步。然而，EUV光刻技术在生产线建设和曝光工艺方面需要大量的资本投入，且能耗与运行成本居高不下。 DNP自2003年起便致力于NIL模板的研发工作，在高精度图案化领域成功积累了丰富的技术经验。 在此项最新进展中，DNP研发了一种具有10纳米线图案的NIL模板。它可以替代部分EUV光刻工艺，从而帮助那些不具备EUV光刻生产工艺的客户生产尖端逻辑半导体。 主要特性 DNP利用自对准双重图案化(SADP)技术，成功实现了电路线宽为10纳米的新型NIL模板的研发。该技术通过对光刻设备形成的图案进行薄膜沉积和蚀刻处理，使图案密度...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912) anunció hoy el desarrollo de una plantilla de litografía de nanoimpresión (NIL) que incluye una línea de circuitos con una anchura de 10 nanómetros (nm: 10-9 metros). La nueva plantilla permite crear patrones para semiconductores lógicos equivalentes a la generación de 1,4 nm y cumple los requisitos de miniaturización de los semiconductores lógicos de última generación. Antecedentes y objetivos Acompañando la migración haci...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912) hat heute die Entwicklung eines Nanoimprint-Lithographie (NIL)-Templates mit einer Leiterbahnbreite von 10 Nanometern (nm: 10-9 Meter) angekündigt. Das neue Template ermöglicht die Erstellung von Strukturen für Logikhalbleiter, die der 1,4-nm-Generation entsprechen, und erfüllt die Anforderungen hinsichtlich der Miniaturisierung modernster Logikhalbleiter. Hintergrund und Ziele Angesichts des Trends zu immer komplexeren Ger...

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912) annonce aujourd'hui le développement d'une matrice de lithographie par nanoimpression (NIL) avec une largeur de ligne de circuit de 10 nanomètres (nm : 10-9 mètre). La nouvelle matrice permet de modéliser des semiconducteurs logiques équivalents à la génération 1,4nm et répond aux besoins de miniaturisation des semiconducteurs logiques de pointe. Contexte et objectifs Conformément au passage à des dispositifs plus sophistiq...

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKIO:7912) heeft vandaag de ontwikkeling aangekondigd van een nano-imprintlithografiesjabloon (NIL) met een circuitlijnbreedte van 10 nanometer (nm: 10-9 meter). Het nieuwe sjabloon maakt patroonvorming mogelijk voor logische halfgeleiders die gelijkwaardig zijn aan de 1,4 nm-generatie en voldoet aan de miniaturisatiebehoeften van geavanceerde logische halfgeleiders. Achtergrond en doelstellingen In lijn met de verschuiving naar geava...

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912) oggi ha annunciato lo sviluppo di un modello di nanolitografia (NIL) con un'ampiezza di linea del circuito pari a 10 nanometri (1 nm = 10-9 metri). Il nuovo modello consente la realizzazione di modelli di semiconduttori logici equivalenti alla generazione da 1,4 nm e soddisfa i requisiti di miniaturizzazione dei semiconduttori logici all'avanguardia. Informazioni e obiettivi In linea con il passaggio a dispositivi più sofis...

DALLAS--(BUSINESS WIRE)--LibertyStream Infrastructure Partners Inc. (TSXV: LIB | OTCQB: VLTLF | FSE: I2D) (“LibertyStream” or the “Company”) announces that it has filed an amended and restated listed issuer financing exemption offering document (the “Amended Offering Document”) effective December 10, 2025. The Amended Offering Document can be accessed under the Company’s profile at www.sedarplus.ca and on the Company’s website at https://www.libertystream.com/. Prospective investors should read...