Kioxia desarrolla una tecnología clave que permitirá la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y bajo consumo

Presentación de la tecnología de los transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permitirán la implementación práctica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) 3D de alta densidad y bajo consumo. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, EE. UU., el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos los servidores de IA y los componentes de IoT.

En la era de la IA, existe una creciente demanda de DRAM con mayor capacidad y menor consumo de energía que puedan procesar grandes cantidades de datos. La tecnología DRAM tradicional se está acercando a los límites físicos del tamaño de las celdas de memoria, un hecho que ha impulsado la investigación sobre el apilamiento 3D de celdas de memoria para proporcionar capacidad adicional. El uso de silicio monocristalino como material del canal para los transistores en las celdas de memoria apiladas, como es el caso de la DRAM convencional, aumenta los costos de fabricación y la energía necesaria para refrescar las celdas de memoria aumenta de forma proporcional a la capacidad de la memoria.

En la IEDM del año pasado, anunciamos el desarrollo de la tecnología DRAM con transistores de canal de óxido-semiconductor (OCTRAM), que utiliza transistores verticales fabricados con óxido-semiconductores. En la presentación de este año, mostramos la tecnología de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permiten el apilamiento 3D de OCTRAM, verificando el funcionamiento de transistores apilados en ocho capas.

Con esta nueva tecnología se pueden apilar películas maduras de óxido de silicio y nitruro de silicio y se sustituye la región de nitruro de silicio por un semiconductor de óxido (InGaZnO) para formar simultáneamente capas verticales de transistores apilados horizontalmente. También hemos introducido una novedosa estructura de celda de memoria 3D con la que se puede escalar el paso vertical. Se espera que estos procesos y estructuras de fabricación superen los retos de costo que plantea el apilamiento 3D de celdas de memoria.

Además, se espera que la potencia de actualización pueda reducirse gracias a las características de baja corriente de apagado de los materiales de óxido-semiconductores. Hemos demostrado una alta corriente de encendido (más de 30 μA) y una corriente de apagado ultrabaja (menos de 1 aA, 10^-18 A) para los transistores horizontales formados mediante el proceso de sustitución. Además, hemos fabricado con éxito una pila de 8 capas de transistores horizontales y hemos confirmado que funcionan perfectamente dentro de esa estructura.

En Kioxia Corporation seguiremos dedicados a la investigación y el desarrollo de esta tecnología con el fin de hacer realidad la implementación de la DRAM 3D en aplicaciones del mundo real.

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Acerca de Kioxia

Kioxia es la empresa líder mundial en soluciones de memoria, dedicada al desarrollo, producción y venta de memorias flash y unidades de estado sólido (SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia tiene el compromiso de mejorar el mundo con “memoria” ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está configurando el futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, PC, sistemas automotrices, centros de datos y sistemas de IA generativa.

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