Kioxia sviluppa una tecnologia fondamentale che consentirà l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico

Presenta la tecnologia dei transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, azienda leader mondiale nelle soluzioni di memoria, oggi ha annunciato lo sviluppo di transistor a canale a semiconduttore di ossido altamente impilabili che consentiranno l'implementazione pratica di memoria DRAM 3D ad alta densità e basso consumo energetico. Questa tecnologia è stata presentata al IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) che si è svolto a San Francisco, USA, il 10 dicembre, e che potenzialmente riduce il consumo energetico in un'ampia gamma di applicazioni, compresi server di intelligenza artificiale e componenti IoT.

Nell'era dell'AI, cresce la domanda di memoria DRAM con maggiore capacità e consumo energetico ridotto, in grado di elaborare grandi quantità di dati.

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