Power Integrations detalha tecnologia PowiGaN de 1250 V e 1700 V para data centers de IA de 800 VCC da próxima geração

A empresa está colaborando com a NVIDIA na arquitetura de energia de 800 VCC; novo relatório mostra vantagens da tecnologia PowiGaN de 1250 V em comparação com o nitreto de gálio de 650 V e o carboneto de silício de 1200 V

SAN JOSE, Califórnia--(BUSINESS WIRE)--A Power Integrations (NASDAQ: POWI), líder em circuitos integrados de alta voltagem para conversão de energia com eficiência energética, detalhou hoje os benefícios da sua tecnologia PowiGaN™ de nitreto de gálio para os data centers de IA da próxima geração. Os recursos da tecnologia PowiGaN de 1250 V e 1700 V para arquiteturas de energia de 800 VCC foram explicados em um novo relatório da Power Integrations publicado na Cúpula Global de OCP (Projeto de Computação Aberta) em San Jose, onde a NVIDIA forneceu uma atualização sobre a arquitetura de 800 VCC. A Power Integrations está colaborando com a NVIDIA para acelerar a transição para energia de 800 VCC e racks em escala de megawatts.

O novo relatório detalha as vantagens de desempenho dos primeiros transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs, high electronic mobility transistors) PowiGaN de 1250 V do setor, ilustrando sua confiabilidade comprovada e sua capacidade de atender aos requerimentos de densidade de potência e eficiência (>98%) da arquitetura de 800 VCC. Além disso, o relatório demonstra que um único interruptor PowiGan de 1250 V fornece mais densidade de potência e eficiência quando comparado com os transistores de efeito de campo (FETs, field-effect transistors) de nitreto de gálio (GaN, gallium nitride) de 650 V empilhados e os dispositivos concorrentes de carboneto de silício (SiC, silicon carbide) de 1200 V.

O relatório também destaca os circuitos integrados (CIs) InnoMux™2-EP da Power Integrations como uma solução exclusiva para fontes de alimentação auxiliares em data centers de 800 VCC. O interruptor PowiGaN integrado de 1700 V do dispositivo InnoMux-2 aguenta uma tensão de entrada de 1000 VCC, enquanto sua operação SR ZVS fornece mais de 90,3% de eficiência em sistema de 12 V em uma arquitetura de 800 VCC sem ventiladores e refrigerada a líquido.

"Com o aumento nas demandas de energia para a IA, passar de uma entrada de 800 VCC simplifica o design do rack, torna o uso do espaço mais eficiente e reduz o uso de cobre", afirmou Roland Saint-Pierre, vice-presidente de desenvolvimento de produtos da Power Integrations. "Com o aumento nas demandas por energia para os racks, vemos os dispositivos PowiGaN de 1250 V e 1700 V como as escolhas ideais para as fontes de alimentação principais e auxiliares, proporcionando a eficiência, confiabilidade e densidade de potência necessárias nos data centers de 800 VCC".

A Power Integrations, única fornecedora de interruptores de GaN de 1250 V e 1700 V de alta tensão em produção por volume, apresentou seus primeiros CIs de GaN em 2018 e atualmente tem mais de 175 milhões de interruptores de GaN em uso em produtos finais, desde carregadores rápidos até data centers e veículos elétricos.

Para mais informações sobre a tecnologia PowiGaN da Power Integrations para data centers de IA e para consultar o relatório, intitulado "PowiGaN de 1250 V / 1700 V para arquitetura de data centers de IA de 800 VCC", acesse power.com/ai-data-center. Para ler o blog técnico da NVIDIA sobre 800 VCC, clique aqui.

Sobre a Power Integrations

A Power Integrations, Inc. é a principal inovadora em tecnologia de semicondutores para conversão de energia de alta tensão. Os produtos da empresa são pilares essenciais no ecossistema de energia limpa, permitindo a geração de energia renovável bem como transmissão e consumo eficientes de energia em aplicações que variam de miliwatts a megawatts. Para mais informações, acesse www.power.com.

Power Integrations, o logo da Power Integrations, PowiGaN e InnoMux são marcas comerciais, marcas de serviço ou marcas comerciais registradas da Power Integrations, Inc. Todas as outras marcas registradas são de propriedade dos seus respectivos donos.

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