Shin-Etsu Chemical va développer un substrat QSTTM pour un gallium de nitrure (GaN) de 300 mm

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)(Siège : Tokyo ; Président : Yasuhiko Saitoh ; ci-après, « Shin-Etsu Chemical ») a créé un substrat QST^TM de 300 mm (12 pouces), dédié à la croissance épitaxiale du GaN. La société a récemment commencé à fournir des échantillons.

Shin-Etsu Chemical a vendu des substrats QST^TM de 150 mm (6 pouces) et de 200 mm (8 pouces) et des substrats épitaxiaux GaN sur QST^TM pour chaque diamètre. La société a également continué d'augmenter encore plus le diamètre en réponse à une forte demande des clients et a réussi à créer un substrat QST^TM de 300 mm (12 pouces). Les fabricants de dispositifs GaN ne peuvent pas tirer parti de l’augmentation du diamètre des matériaux à cause du manque de substrats avec un diamètre important pour la croissance du GaN, en dépit du fait qu’ils peuvent utiliser la ligne de production existante de GaN de Si. Ce substrat QST^TM de 300 mm permet la croissance épitaxiale du GaN sans gauchissement ni fissures, ce qui n’était pas possible avec les substrats de Si, permettant ainsi de réduire considérablement les coûts du dispositif. En plus des améliorations en cours des sites des substrats QST^TM de 150 et 200 mm, Shin-Etsu Chemical va se consacrer à la production de masse des substrats QST^TM de 300 mm.

Étant donné que les substrats QST^TM ont le même coefficient de dilatation thermique que le GaN, il est possible de limiter le gauchissement et les fissures de la couche épitaxiale du GaN sur le substrat QST^TM d’une épaisseur SEMI standard. Le matériau du substrat permet une croissance épitaxiale épaisse et de haute qualité avec un diamètre important. Tirant parti de cette caractéristique, de nombreux clients évaluent les substrats QST^TM et les substrats épitaxiaux GaN sur QST^TM pour les dispositifs d’alimentation, les dispositifs à haute fréquence et les DEL. Malgré un environnement commercial difficile, les clients ont commencé la phase de développement pratique pour répondre à l’intérêt croissance dans les dispositifs d’alimentation, y compris les alimentations pour les centres de données.

L’ajout du substrat QST^TM de 300 mm en plus des substrats de 150 et 200 mm peut considérablement accélérer la diffusion des dispositifs GaN. Shin-Etsu Chemical est déterminé à participer à la création d’une société durable dans laquelle l’énergie peut être utilisée de façon efficace à travers l’implémentation sociale des dispositifs GaN.

La société prévoit de présenter ce substrat QST^TM de 300 mm à l’occasion de SEMICON TAIWAN, qui se déroulera à Taipei, Taïwan, du 4 au 6 septembre 2024.

*1: Le substrat QST^TM est un matériau composite dédié à la croissance du GaN, développé par Qromis (Californie, États-Unis, PDG : Cem Basceri) et pour lequel une licence a été accordée à Shin-Etsu Chemical en 2019. QST^TM est une marque de commerce américaine de Qromis (n° d’enregistrement 5277631).

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